篇一：南昌大学毕业论文格式范文最新标准
南昌大学
本科生毕业设计（论文）
( 2014届 )
题 目：中小型企业客户信息管理系统设计与实现 Design and implement of Customers Resource Management System of the SME
学 院： 南昌大学*学院
专 业： 计算机科学与技术
学生姓名：张青道 学号： 14190121
指导教师：赵 民 职称： 教授
完成时间： 2015年4月10日
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篇二：关于2016届本科生毕业论文工作安排的通知
南昌大学科学技术学院
财经学科部(通知)
财经〔2015〕5号
关于2016届本科生毕业论文
与毕业实习工作时间安排的通知
部属各部门、各指导教师、12级各班：
按照《南昌大学科学技术学院本科生毕业设计（论文）管理办法》（2010）和学科部教学运行情况，对2016届本科生毕业论文与毕业实习的有关工作做如下安排。
一、2015年9月15日至10月10日遴选指导老师
1.按照《南昌大学科学技术学院本科生毕业设计（论文）管理办法》（2010）（附件一）第三条1款及4款的要求，指导教师应由讲师以上（含讲师）或获硕士以上学位的教师担任(非教师岗必须副高以上职称)，初级职称的人员不得单独指导毕业论文（特殊情况必须专项报批），但可协助指导教师工作。原则上每位专职
教师指导学生人数不超过10人，首次担任指导毕业论文的教师指导学生人数不超过3人；外聘兼职教师指导学生人数不超过6人。
2.各系按上述原则拟定后送学科部教务办，分管教学副主任审批后，报学院批准执行。
二、2015年10月13日至10月31日选题开题
1.各系（教研室）按学院毕业论文管理办法规定，组织落实毕业生论文讲座、动员、导师见面、选题、开题等工作。
2.选题确定后必须填写《南昌大学科学技术学院指导教师毕业设计（论文）选题申报表》（附件二），各班统一交各系教务员留存备查。
三、2015年11月3日至12月15日完成论文开题报告
1.各毕业班学生在指导老师的指导下完成开题报告，并在12月15日前将开题报告电子稿（指导老师批阅稿）发至本班指定电子邮箱（附件三）。12月22日至31日学科部组织毕业论文工作初期检查，各系上报检查任务书、开题报告及教师指导情况，学科部组织抽查部分开题报告。
2.所有毕业生必须完成开题报告，经指导教师签字后、班级辅导员批准方可离校实习。
四、2016年1月5日至3月31日论文撰写与毕业实习
1.按规定论文格式完成论文初稿并经指导老师批阅后发本班
指定邮箱（论文格式见附件四）。
2.完成实习报告与6篇实习周记（实习报告格式见附件五）。
3.实习期间必须保持与指导老师联系，自觉遵守实习单位的各项规章制度，实习结束后由实习单位出具实习鉴定表（附件六）。
五、2016年4月1日至4月30日论文修改完善
1.各毕业生按指导老师意见修改论文初稿，撰写二、三稿。
2.整理毕业论文等各套材料，形成毕业论文整套材料、实习整套材料、毕业论文撰写指导整套材料。
六、2016年5月5日前毕业生返校
提交整套毕业论文等有关材料，填好毕业论文指导记录表（见附件七）及指导论文初稿、二稿批阅稿、论文修改三稿和实习报告、周记、实习鉴定表等材料一并交指导教师批阅定稿，指导教师完成成绩评定后，5月15日前统一交所在系教务员。
七、2016年5月18日至6月1日论文评阅与答辩
1.各系安排评阅教师进行论文评阅和建立各答辩委员会，依据本系各专业毕业生人数等情况，在5月23日、5月24日、5月30日、5月31日分别安排合理时间段进行相应答辩工作。
2.进入答辩阶段的每位学生应根据所撰写毕业论文和答辩要求制作相应的PPT参加答辩。
八、2016年6月6日至6月7日论文二辩
1.初次答辩未通过的学生或对答辩有较大异议的少数学生，专业答辩委员会主任提出意见，由系主任确认组织二次答辩学生名单后汇交部教务办，二次答辩成绩最高记载为“及格”。
2. 二次答辩委员会人员构成由学科部在初次答辩的各专业答辩委员会主任中，按二次答辩的各专业学生人数情况遴选产生。
九、2016年6月8日至6月12日成绩评定与优秀论文推荐
1.各系要严格按照《南昌大学科学技术学院毕业设计（论文）质量标准》评定毕业论文质量，对论文指导过程材料进行检查，检查报告汇集报送教务办存档。
2.按照优秀论文评判要求，各系推荐若干篇优秀论文至学科部教务办，学科部组织评审遴选后报送学院。
上述未尽事宜按照《南昌大学科学技术学院本科生毕业设计（论文）管理办法》办理。
特此通知。 二0一五年九月十日
主题词：毕业论文 毕业实习 通知
抄报：分管教学院领导
抄送：院教务处、院督导办公室
财经学科部 2015年9月10日印发
（共印12份）
附件一:南昌大学科学技术学院本科生毕业设计（论文）管理办法 附件二:南昌大学科学技术学院指导教师毕业设计（论文）选题申
报表
附件三:关于2016届毕业生论文发至指定邮箱的通知
附件四: 2016届财经毕业论文格式样本
附件五: 2016届财经毕业实习报告及周记格式
附件六:院发[2014]54号附件3 毕业实习鉴定表
附件七:昌大科院院发[2014]24号毕业设计（论文）作假行为处理
办法
附件八:昌大科院院发[2014]54号校外毕业实习设计（论文）管理
办法（附表1外出毕业实习设计（论文）申请表、表2毕业班学生请假条、表3毕业实习鉴定表、表4毕业班外出实习毕业设计(论文)学生汇总表）
附件九:江西省学士学位论文质量抽查办法(试行)
篇三：本科生毕业设计格式
职微博：http://t.hrbanlv.com
南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样
一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，
行间距1.35倍。
二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。
三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从
中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III……)编排，从正文第一章开
始按照阿拉伯数字（1，2，3……）编排。
四、摘要
1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号
宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小
四号宋体加粗，
2．英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times
New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，
“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。
五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。
六、图表：图表内容五号宋体。
七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英
文用小四号Times New Roman 体。
八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。
具体书写式样如下：
NANCHANG学 士 学 位 THESIS OF （20—20
题目
学 院： 专业班级：
学生姓名：
指导教师：
起讫日期：
南 昌 大 学
学士学位论文原创性申明
本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。
作者签名： 日期：
学位论文版权使用授权书
本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。
保密□，在 年解密后适用本授权书。
本学位论文属于
不保密□。
（请在以上相应方框内打“√”）
作者签名： 日期：
导师签名： 日期：
摘要
III-
专
业： 学生姓名： 指导教师： LED外延片的
MOCVD 宽禁带III摘要 年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：
1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。
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本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。
关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱
Abstract
GaN based Ⅲ
-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power area of 3th generation semiconductor.
nitrides growth technology since Nichia In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:
1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χmin of GaN layers was jus(原文来自：wWw.xiaOcAofANweN.coM 小 草 范 文 网:南昌大学本科生毕业论文格式)t only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.
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This work was supported by 863 program in China.
Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical
absorption